Sommerfest der Fakultät 8 am Donnerstag, dem 18.07.2024.
Die Fachgruppen der Mathematik und Physik laden ein zum Sommerfest der Fakultät 8 am Donnerstag, dem 18.07.2024.
16 Uhr im Hörsaal V57.01
- Festvortrag von Dipl. phys. Winfried Kaiser
Carl Zeiss SMT (retired) - Studierende interviewen den Referenten
ab 17:30 Uhr im Außenbereich - Univeristätszentrum (zwischen Pfaffenwaldring 53 und Universitätsstraße 38)
- Verleihung der Dozent:innen-Preise
durch die Fachgruppen Mathematik und Physik - Leckeres Gegrilltes und gekühlte Getränke
- Live-Band
- Quiz
Im Anschluss findet das traditionelle Sommerfest der Fakultät Mathematik und Physik statt. Die Fachgruppen Mathematik und Physik verleihen die Dozent:innen-Preise. Musikalisch umrahmt wird unser Sommerfest von einer Live-Band und selbstverständlich wird es wieder Getränke und Gegrilltes geben.
Herzlich eingeladen sind alle Mitglieder, Ehemalige und Freundinnen und Freunde der Fakultät für Mathematik und Physik.
Vortrag von
Dipl. phys. Winfried Kaiser
Carl Zeiss SMT (retired)
Die phänomenale Entwicklung der Lithographie-Optik
Die Photo-Lithographie ist einer der wichtigsten Schlüsselprozesse bei der Herstellung von Mikrochips. Mittels Lithographie-Optiken belichten Chiphersteller weltweit ihre Wafer mit Nanometer-Präzision - die Basis für die Fertigung von extrem leistungsfähigen Mikrochips. Lithographie-Optiken leisten einen entscheidenden Beitrag: Das Auflösungsvermögen der Projektionsoptik sowie die Fähigkeiten des Beleuchtungssystems beeinflussen entscheidend, wie klein die Strukturen auf einem Microchip sein können. Die Entwicklung der integrierten Schaltkreise („ICs“) folgt seit fast 6 Jahrzehnten „Moore’s Law“, das vorhersagt, daß sich die Transistordichte alle 2 Jahre verdoppelt, realisiert primär durch die Steigerung der Auflösung der Lithographie-Optik. Inzwischen hat die IC-Technologie den sogenannten „3nm-Knoten“ in Großserienproduktion und der „2nm-Knoten“ steht vor der Tür.
Der Vortrag beleuchtet die Geschichte der optischen Lithographie von der g-Linie (Wellenlänge 436nm) bis zur EUV-Lithographie (13.5nm). Dabei wird gezeigt, wie mit unterschiedlichen Mitteln das durchgehende Ziel der gesteigerten Auflösung realisiert wurde.
Das Funktionsprinzip eines EUV-Lithographie-Systems („Scanner“) mit der EUV-Optik als zentralem Element wird gezeigt. Ausführlich eingegangen wird auf den Aufbau und die extremen physikalisch-technischen Herausforderungen sowie die erzielten Leistungen der aktuellen EUV-Optik.
Zur Fortsetzung von Moore’s Law und zur weiteren Steigerung der Auflösung ist derzeit die nächste Generation der EUV-Lithographie, genannt „High NA EUV“, in Produktion. Sie stellt weitere, noch extremere Herausforderungen und erfordert eine völlig neue Fertigungsinfrastruktur. Die mögliche, weitere Entwicklung wird diskutiert.
